化学机械抛光(CMP)是晶圆平坦化的关键工艺，需要精确控制抛光浆料的输送。气拓质量流量控制器为浆料输送系统提供精确的气体压力控制。
随着半导体器件向更小尺寸发展，多层金属互连结构越来越复杂，每一层都需要平坦化处理。化学机械抛光(CMP)通过化学腐蚀和机械研磨相结合的方式，实现晶圆表面的全局平坦化。
CMP过程中，抛光浆料的输送和分配至关重要。浆料通常通过气压驱动方式从储罐输送到抛光垫，气压的稳定性直接影响浆料流量的均匀性，进而影响抛光均匀性和晶圆平整度。
气拓为CMP设备提供浆料输送气体控制方案。采用压力控制器精确控制储罐气压，配合质量流量计监测浆料流量，确保浆料以恒定流速均匀分布于抛光垫表面，实现优异的平坦化效果。
客户需求
- 浆料储罐气压精确控制
- 流量稳定性确保抛光均匀性
- 避免浆料气泡影响抛光质量
- 压力快速响应工艺需求
- 清洁设计防止浆料污染
关键要素
- 压力控制：精确控制储罐气压
- 流量监测：实时测量浆料流量
- 气泡控制：避免浆料中气泡产生
- 快速响应：匹配工艺需求变化
- 清洁设计：防止交叉污染
气拓解决方案
- 气拓IN-PRESS压力控制器
- mini CORI-FLOW质量流量计监测浆料
- 闭环PID控制实现恒压输送
- 不锈钢设计易于清洁维护
- 数字通信集成CMP设备系统
客户收益
- 抛光均匀性显著提高
- 晶圆平整度达标
- 浆料消耗量降低
- 设备维护周期延长
本文为公司内部资讯，非广告宣传，仅供公司内部交流参考，所载技术方案、参数、应用案例等内容仅供参考，不构成要约或承诺。