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实验室培育钻石:CVD工艺气体流量控制

2025-07-17
3 分钟阅读
气拓技术团队
实验室培育钻石:CVD工艺气体流量控制

实验室培育钻石需要300-600小时保持恒定工艺条件。气拓质量流量控制器为CVD钻石生长提供稳定可靠的气体控制。

良好的可靠性和重复性是气拓质量流量控制器和压力控制器的主要特性,适用于使用化学气相沉积制造合成实验室培育钻石。培育单批闪亮钻石需要长达300到600小时,整个过程需要保持相同的工艺条件以便获得恒定品质的钻石。

传统钻石形成于地幔中,经过数百万年时间,在高温和极端压力下形成。近几十年,天然钻石迎来了从气相合成中生长出来的合成钻石。使用微波等离子体化学气相沉积(CVD)技术制造的实验室合成钻石越来越受到关注,主要用于制作珠宝首饰,也用于工业切割和抛光目的。

对于批次CVD工艺,需要恒定的低压力(高真空)。此外,在整个过程中,气态反应物需要以相同的恒定流量供应到反应器。甲烷和氢气作为前驱体供应到反应室用于促进金刚石的形成。

客户需求

  • 良好的可靠性和重复性
  • 长时间制造过程中质量一致
  • 低压恒定控制
  • 无泄漏的准确流量控制

关键要素

  • 稳定控制:300-600小时持续运行
  • 低压精确:等离子体室压力恒定
  • 微小流量:精确控制3ml/min或更小
  • 无泄漏:稳定准确的过程条件

气拓解决方案

  • 气拓压力控制器确保低压恒定
  • 热式质量流量控制器控制气体流量
  • 多通道解决方案满足多种气体需求
  • Modbus、Flowbus通信协议可选

客户收益

  • 钻石质量恒定如一
  • 长时间运行稳定可靠
  • 多气体灵活配置
  • 紧凑模块化设计

本文为公司内部资讯,非广告宣传,仅供公司内部交流参考,所载技术方案、参数、应用案例等内容仅供参考,不构成要约或承诺。

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