晶圆退火用于修复离子注入损伤和激活掺杂原子，需要在高温保护气氛中进行。气拓质量流量控制器为退火炉提供精确的保护气体控制。
离子注入是半导体掺杂的关键工艺，但高能离子轰击会在晶格中产生缺陷。退火工艺通过高温处理修复晶格损伤，同时激活掺杂原子使其进入晶格位置替代硅原子。
退火过程需要在保护气氛中进行，防止晶圆表面氧化。常用的保护气体包括氮气、氩气、以及氮氢混合气（N2/H2）。快速热退火（RTA）需要快速升温降温，对气体流量的快速响应有严格要求。
气拓为退火设备制造商提供保护气体流量控制解决方案。热式质量流量控制器响应时间小于1秒，可精确控制保护气体流量，确保退火过程晶圆表面不受氧化，同时避免杂质污染。
Requirements
- 高温退火过程保护气体稳定供应
- 快速响应RTA工艺的温度变化
- 防止晶圆表面氧化和杂质污染
- 精确控制气体配比（如N2/H2混合）
- 耐高温设计适应炉膛环境
Key Elements
- 保护气氛：N2、Ar或N2/H2混合气
- 快速响应：<1秒响应RTA工艺需求
- 高纯气体：防止杂质污染晶圆
- 配比控制：精确调节混合气比例
- 耐高温：适应退火炉膛环境
GASKITO Solutions
- 气拓EL-FLOW Select系列质量流量控制器
- 毫秒级响应速度匹配RTA工艺
- 多气体校准支持气体切换
- 金属密封设计确保气体纯度
- 远程通信接口集成设备控制系统
Benefits
- 晶格缺陷修复效率提升
- 掺杂原子激活率提高
- 晶圆表面无氧化无污染
- 工艺良率显著改善
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